Корзина
0 ₽
пуста
Объем памяти | 4gb |
Низкопрофильная | Нет |
Подсветка | нет |
Чип | - |
Нормальная операционная температура (Tcase) | 75 °C |
Линейка | Нет |
Поддержка ECC | Есть |
Тип модуля | DIMM |
Напряжение (В) | 1.2 |
gtdNumber | 10005030/121022/3276015 |
Поддержка Reg | Есть |
Activate to Precharge Delay (tRAS) | - |
rusName | [Модуль памяти] Samsung DRAM 64GB DDR4 LRDIMM 3200MHz, 1.2V, (DDP4Gx4)x36, 4R x 4 M386A8K40DM2-CWE |
Пропускная способность (МБ/с) | 25600 |
Количество чипов на модуле | - |
гарантия | 1 год |
Поддержка водяного охлаждения | Нет |
Количество контактов | 288 |
Модель | M386A8K40DM2-CWE |
RAS to CAS Delay (tRCD) | - |
CAS Latency (CL) | 22 |
Расширенная операционная температура (Tcase) | 85 °C |
Вес (грамм) | - |
Частота (MHz) | DDR3 - 3200 |
GTIN | 00000000000000 |
Габариты (мм) | - |
Количество модулей в комплекте (шт) | 1 |
Производитель | Samsung |
manufacturerCountry | Корея, республика |
описание | Память M386A8K40DM2-CWE от Samsung |
Общий объем памяти (ГБ) | 64 |
Высота (мм) | - |
сайт производителя | http://www.samsung.com/ |
Тайминги | 22 |
Радиатор | Нет |
Row Precharge Delay (tRP) | - |
название | Samsung DRAM 64GB DDR4 LRDIMM 3200MHz, 1.2V, (DDP4Gx4)x36, 4R x 4 M386A8K40DM2-CWE |
Дополнительная информация | - |
Потребление энергии | - |
Объем модуля памяти | 64 |
Бренд | SAMSUNG |